PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Qg and RDS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent reduction in gate charge (Qg) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.

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IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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64재고 상태
300예상 2026-11-23
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
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34재고 상태
3,810예상 2027-02-01
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
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29재고 상태
60주문 중
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET TO247 500V 14A N-CH POLAR3
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18재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
데이터시트
3재고 상태
300예상 2027-03-01
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
데이터시트
207재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
데이터시트
232재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
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27재고 상태
300예상 2026-09-09
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
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9,024주문 중
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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2,916주문 중
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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330예상 2027-03-08
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 50

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 600V 16A
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 50

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET TO263 600V 22A N-CH POLAR
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비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 50
MOSFETs Si
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 50

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
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재고 없음
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
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재고 없음
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 600V 7A
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재고 없음
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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비재고 리드 타임 21 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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비재고 리드 타임 29 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 모듈 Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFET TO220 600V 16A N-CH POLAR
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비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET TO220 500V 20A N-CH POLAR
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3