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IPB048N15N5LFATMA1

Name: Infineon IPB048N15N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB048N15N5LF
Price: 13057 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IPB048N15N5LF

제조업체 번호:

IPB048N15N5LFATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET IFX FET >100-150V

데이터시트:

IPB048N15N5LFATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	D2PAK-3 (TO-263-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	150 V
Id - 연속 드레인 전류:	120 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	3.9 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.3 V
Qg - 게이트 전하:	84 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	313 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	OptiMOS
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	10 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	17 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	48 ns
시리즈:	OptiMOS 5
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	42 ns
표준 턴-온 지연 시간:	8 ns
부품번호 별칭:	IPB048N15N5LF SP001503860
단위 중량:	4 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IPB048N15N5LFATMA1 데이터시트 (PDF)

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Product Catalogs

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규정 준수 코드

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 오스트리아
어셈블리 원산지:: 말레이시아
COD(확산 공정 국가):: 독일

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

LEV(경전기차)용 솔루션

경전기 차량(LEV)을 위한 Infineon Technologies 솔루션은 증가하는 메가시티를 위한 배기가스 무배출 솔루션을 활용하여 세상을 변화시킬 잠재력을 지니고 있습니다. LEV는 더 높은 전력 효율, 더 작은 크기, 더 가벼운 무게, 더 저렴한 솔루션을 가능하게 해주는 신기술을 적용한 차량입니다. LEV는 가솔린 또는 배터리 전원 공급식 EV에 비해 가격이 저렴하므로, 소비자의 구매 여력이 더 크고 전기 이동 수단으로의 변화가 진행 중인 신흥국 시장에 매력적인 대안이 될 수 있습니다.

주거용 에너지 저장 시스템 (ESS)

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OptiMOS™ 선형 FET

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고효율 전력 스위칭을 위해 설계된 고급 N채널 장치입니다.

OptiMOS™ 7 100 V 자동차 전력 MOSFET 에 대해

OptiMOS™ 6 60 V 전력 MOSFET

강력한 전력 MOSFET 기술을 통해 OptiMOS 5보다 우수한 성능을 제공합니다.

OptiMOS™ 6 60 V 전력 MOSFET 에 대해

N-채널 OptiMOS™ 7 25V 전력 MOSFET

애플리케이션에 최적화된 성능을 제공하여 데이터 센터, 서버 및 AI를 위한 피크 성능을 구현합니다.

N-채널 OptiMOS™ 7 25V 전력 MOSFET 에 대해

OptiMOS™ 8 전력 MOSFET

이 제품들은 온 상태 저항[R_DS(ON)]이 매우 낮은 N-채널, 일반 레벨 80V 또는 100V MOSFET입니다.

OptiMOS™ 8 전력 MOSFET 에 대해

N-채널 OptiMOS™ 7 80V 전력 MOSFET

우수한 열 저항성을 제공하는 80V, N-채널, 정상 레벨 장치로서 PG‑TDSON‑8 패키지로 제공됩니다.

N-채널 OptiMOS™ 7 80V 전력 MOSFET 에 대해

재고 상태: 4,475

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공장 리드 타임:: 8 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(1000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩13,057.2	₩13,057
	₩9,016.8	₩90,168
	₩6,614.4	₩661,440
	₩6,489.6	₩3,244,800
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩6,130.8	₩6,130,800

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

IPB048N15N5LFATMA1

제조업체: Infineon Technologies

설명: MOSFET IFX FET >100-150V

사양

설명서 (16)

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주거용 에너지 저장 시스템 (ESS)

OptiMOS™ 선형 FET

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