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IPB048N15N5LFATMA1

Name: Infineon IPB048N15N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB048N15N5LF
Price: 10088 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IPB048N15N5LF

제조업체 번호:

IPB048N15N5LFATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET IFX FET >100-150V

데이터시트:

IPB048N15N5LFATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 3,493

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(1000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩10,088.6	₩10,089
	₩6,818.2	₩68,182
	₩5,051.6	₩505,160
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩4,117.2	₩4,117,200

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	D2PAK-3 (TO-263-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	150 V
Id - 연속 드레인 전류:	120 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	3.9 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.3 V
Qg - 게이트 전하:	84 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	313 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	OptiMOS
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	10 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	17 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	48 ns
시리즈:	OptiMOS 5
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	42 ns
표준 턴-온 지연 시간:	8 ns
부품번호 별칭:	IPB048N15N5LF SP001503860
단위 중량:	4 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IPB048N15N5LFATMA1 데이터시트 (PDF)

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Market News OptiMOS Linear FET (PDF)

Product Catalogs

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KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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