BD2320EFJ-LAE2

ROHM Semiconductor
755-BD2320EFJ-LAE2
BD2320EFJ-LAE2

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 3.5A 100 V VB HIGH AND

라이프사이클:
NRND:
새로운 디자인에 권장되지 않습니다.
ECAD 모델:
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재고 상태: 4,709

재고:
4,709 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
15 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
4709을(를) 초과하는 수량에 대해서는 최소 주문 요구사항이 적용됩니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(2500의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩3,708.4 ₩3,708
₩2,774 ₩27,740
₩2,525.8 ₩63,145
₩2,263 ₩226,300
₩2,146.2 ₩536,550
₩2,073.2 ₩1,036,600
₩2,014.8 ₩2,014,800
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩1,927.2 ₩4,818,000
5,000 견적
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다.

제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
HTSOP-8
2 Driver
2 Output
4.5 A
7.5 V
14.5 V
Non-Inverting
8 ns
6 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: ROHM Semiconductor
개발 키트: REF66009
입력 전압 - 최대: 14.5 V
입력 전압 - 최소: 7.5 V
최대 턴-오프 지연 시간: 50 ns
최대 턴-온 지연 시간: 50 ns
작동 공급 전류: 160 uA
출력 전압: 7.5 V to 14.5 V
제품 유형: Gate Drivers
전파 지연 - 최대: 27 ns
차단: No Shutdown
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: Si
부품번호 별칭: BD2320EFJ-LA
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

BD2320EFJ-LA 하이측 및 로우측 드라이버

ROHM Semiconductor BD2320EFJ-LA 고주파 하이측 및 로우측 드라이버는 부트스트랩 방식을 사용하여 외부 N채널-FET를 구동할 수 있는 하이측 및 로우측 게이트 드라이버입니다. ROHM Semiconductor BD2320EFJ-LA는 100V 부트스트랩 다이오드와 하이측 및 로우측을 위한 독립 입력 제어를 포함합니다. 3.3V 및 5.0V는 인터페이스 전압으로 사용할 수 있습니다. 저전압 로크아웃 회로는 하이측 및 로우측용으로 내장되어 있습니다.