GDM Dual Channel Gate Drivers

Tamura GDM Dual Channel Gate Drivers include the 2CG010BBC1xN, 2CG010DBC11N, and 2EG01XCxN11N gate driver modules. The 2CG010DBC11N and 2EG01XCxN11N variants are designed for IGBT power modules, while the 2CG010BBC1xN components are intended for IGBT and SiC MOSFETs. These all-in-one gate drivers feature a built-in isolated DC/DC converter and gate drive circuit. Applications include industrial inverters and power conditioners.

결과: 8
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
타입
장착 스타일
드라이버 수
출력 수
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
구성
상승 시간
하강 시간
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
Tamura 게이트 드라이버 GATE DRIVER (CORE, +15V/,-10V)
데이터시트
90재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge Through Hole 2 Driver 2 Output 13.5 V 26.4 V 500 ns 500 ns - 40 C + 85 C GDM
Tamura 게이트 드라이버 GATE DRIVER (CORE, +15V/,-15V)
데이터시트
14재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge Through Hole 2 Driver 2 Output 13.5 V 26.4 V 500 ns 500 ns - 40 C + 85 C GDM
Tamura 게이트 드라이버 GATE DRIVER (core, +15/,-4V)
데이터시트
105재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge Through Hole 2 Driver 2 Output 3 V 5.5 V Inverting - 40 C + 85 C GDM
Tamura 게이트 드라이버 DC3.3 - 15V
데이터시트
14재고 상태
최소: 1
배수: 1
Isolated Gate Drivers Half-Bridge Through Hole 2 Driver 1 Output 3.3 V 15 V 500 ns 500 ns - 40 C + 85 C GDM
Tamura 게이트 드라이버 GATE DRIVER (CORE, +18V/,-4V)
데이터시트
119예상 2026-11-10
최소: 1
배수: 1
IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge Through Hole 2 Driver 2 Output 13.5 V 26.4 V 500 ns 500 ns - 40 C + 85 C GDM
Tamura 게이트 드라이버 GATE DRIVER (CORE, +18V/,-2V)
데이터시트
120예상 2026-12-08
최소: 1
배수: 1
IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge Through Hole 2 Driver 2 Output 13.5 V 26.4 V 500 ns 500 ns - 40 C + 85 C GDM
Tamura 게이트 드라이버 GATE DRIVER (CORE, +15V,-10V)
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 120
배수: 120
IGBT, MOSFET Gate Drivers Half-Bridge Through Hole 2 Driver 2 Output 13.5 V 26.4 V 500 ns 500 ns - 40 C + 85 C GDM
Tamura 게이트 드라이버 DC15V
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 30
배수: 30
Isolated Gate Drivers Half-Bridge Through Hole 2 Driver 1 Output 15 V 500 ns 500 ns - 40 C + 85 C GDM