STP80N1K1K6

Name: STMicroelectronics STP80N1K1K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP80N1K1K6
Price: 3474 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STP80N1K1K6

제조업체 번호:

STP80N1K1K6

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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데이터시트:

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ECAD 모델:

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩3,474.8	₩3,475
	₩2,248.4	₩22,484
	₩1,533	₩153,300
	₩1,220.6	₩610,300
	₩1,144.6	₩1,144,600
	₩1,039.5	₩2,079,000
	₩975.3	₩4,876,500

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
제품 유형:	MOSFETs
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
단위 중량:	2 g

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데이터시트

STP80N1K1K6 데이터시트 (PDF)

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ECCN:: EAR99

STP80N1K1K6 N 채널 전력 MOSFET

STMicroelectronics STP80N1K1K6N-채널 전력 MOSFET은 초접합 기술에서 20년 간의 경험을 활용하는 MDmesh K6 기술을 사용합니다. STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET은 면적 및 게이트 전하당 최고 수준의 온저항을 제공합니다. 이 장치는 높은 전력 밀도와 효율적 인 애플리케이션에 이상적입니다.

N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET

STMicroelectronics N-채널 MDmesh K6 전력 MOSFET은 제너 보호와 100% Avalanche 테스트를 거친 제품입니다. 이 전력 MOSFET는 800V의 최소 드레인-소스 전압, ±30V 게이트-소스 전압, -55°C~150°C의 작동 접합부 온도 범위가 특징입니다. MDmesh K6 전력 MOSFET은 5V/ns 피크 다이오드 복구 전압 슬로프, 100μA/µs 피크 다이오드 복구 전류 슬로프, 120V/ns MOSFET dv/dt 견고성이 특징입니다. 일반적으로 노트북과 AIO, 플라이백 컨버터, 태블릿용 어댑터, LED 조명에 사용됩니다.