BCP53M PNP 중간 전력 트랜지스터

onsemi BCP53M PNP 중간 전력 트랜지스터는 범용 증폭기 애플리케이션용으로 설계된 80V, 1A 장치입니다. 이 트랜지스터는 최적의 AOI(자동 광학 검사)를 위해 습식 플랭크 DFN2020-3 패키지로 제공되며 열 성능이 우수합니다. BCP53M 중간 전력 트랜지스터는 -65°C~150°C 접합 및 저장 온도 범위에서 작동합니다. 이 PNP 트랜지스터는 AEC-Q101 인증을 받았으며 PPAP 가능, 무연, 무할로겐/ 무BFR이며 RoHS 규격을 준수 합니다. BCP53M 중간 전력 트랜지스터는 범용 스위칭 및 증폭 및 자동차 ECU에 이상적입니다.

결과: 6
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
구성
최대 DC 콜렉터 전류
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-베이스 전압 VCBO
이미터-베이스 전압 VEBO
콜렉터-이미터 포화 전압
Pd - 전력 발산
게인 대역폭 제품 fT
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 80V 1A PNP WDFNW3 2X2
데이터시트
2,416재고 상태
3,000예상 2026-08-28
최소: 1
배수: 1
최대: 500
: 3,000

Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 80V 1A PNP WDFNW3 2X2
데이터시트
2,909재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 430
: 3,000

Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 80V 1A PNP WDFNW3 2X2
데이터시트
6,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 500
: 3,000

Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 80V 1A PNP WDFNW3 2X2
데이터시트
34재고 상태
12,000예상 2026-09-11
최소: 1
배수: 1
최대: 2,800
: 3,000

Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 80V 1A PNP WDFNW3 2X2
데이터시트
27,000주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 12,000
: 3,000

Si SMD/SMT WDFNW-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 6 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 80V, 1A, PNP, WDFNW3 2X2
데이터시트
10,367주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 470
: 3,000

Si SMD/SMT PNP Single 80 V 100 V 5 V 500 mV 1.5 W 130 MHz - 65 C + 150 C BCP53M Reel, Cut Tape, MouseReel