CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low RDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

결과: 5
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Central Semiconductor MOSFET 10A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
데이터시트
487재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 29.5 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
데이터시트
429재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 29A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
데이터시트
429재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 4.7A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
데이터시트
474재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 22.5 W Enhancement Tube
Central Semiconductor MOSFET 7.3A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
데이터시트
500재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.3 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 17 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube