Asynchronous SRAM

Infineon Technologies Asynchronous SRAM comes in a broad range of fast asynchronous and low-power asynchronous SRAM (MoBL™) devices. Designers use Asynchronous SRAMs in various industrial, medical, commercial, automotive, and military applications requiring the highest reliability and performance standards.

결과: 153
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Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM 206재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 45ns 1M x 8 Low Power SRAM 138재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM 312재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC 7재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 512 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT PBGA-119 Tray
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3V 55ns 2M x 16 LP SRAM 72재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 Fast Async SRAM 47재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 64 k x 16 10 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 3 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 512Kb 10ns 32K x 16 Fast Async SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

512 kbit 32 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 80 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 256Kb 10ns 32K x 8 SRAM 19재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 80 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Infineon Technologies SRAM 1Mb 10ns 3.3V 128Kx8 Fast Async SRAM 3재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

1 Mbit 128 k x 8 10 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 3 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-32 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 10ns 64K x 16 Fast Async SRAM 39재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 500

1 Mbit 64 k x 16 10 ns 100 MHz Parallel 5.5 V 4.5 V 80 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 256Kb 10ns 32K x 8 SRAM 5재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

256 kbit 32 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 80 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 Fast Async SRAM 5재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

1 Mbit 64 k x 16 10 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 3 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM
599예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
185예상 2026-03-02
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 512Kb 10ns 32K x 16 Fast Async SRAM
143예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1

512 kbit 32 k x 16 10 ns 100 MHz Parallel 3.6 V 3 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 32Mb, 1.8V, 70ns MoBL SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 70 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3.3V 12ns 2Mx16 Fast Async SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

32 Mbit 2 M x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3.3V 12ns 4Mx8 Fast Async SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

32 Mbit 4 M x 8 12 ns Parallel 3.3 V 3 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 1.8V 55ns 256K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 3V 45ns 2M x 8 LP SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 1.8V 55ns 128K x 16 LP SRAM 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray