600V CoolMOS™ SJ S7/S7T 전력 MOSFET

Infineon Technologies 600 V CoolMOS™ SJ S7/S7T 전력 MOSFET은 저주파 스위칭 애플리케이션에 이상적인 가격 성능을 제공합니다. CoolMOS S7 및 S7T 시리즈는 HV SJ MOSFET에 대한 낮은 RDS(on) 값이 특징이며 에너지 효율이 증가합니다. 인피니언 CoolMOS S7 및 S7T MOSFET은 정적 스위칭 및 고전류 애플리케이션에 맞게 최적화되어 있습니다. MOSFET은 TOLL 또는 Q-DPAK 패키지로 제공되며 상단 및 하단 버전으로 제공됩니다. CoolMOS SJ S7 MOSFET은 스위칭 손실이 관련 없는 애플리케이션을 대상으로 합니다. 쿨모스 SJ S7T 장치는 온도 센서를 통합하여 접합 온도 감지 정확도를 개선합니다. 이 장치는 솔리드 스테이트 회로 차단기 및 SSR(솔리드 스테이트 계전기) 애플리케이션과 같은 솔리드 스테이트 솔루션을 위해 설계되었습니다.

결과: 22
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장


Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 750재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 272 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,095재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 65 mOhms - 12 V, 12 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,497재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CoolMOS S7T with embedded temperature sensor 740재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 174 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 318 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CoolMOS S7T with embedded temperature sensor 373재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 174 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 318 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 611재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 196 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 230재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 604재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 90 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 40 C + 150 C 416 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 452재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 318 nC - 40 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 699재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 196 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 739재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 83 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 750재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 113 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 196 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,414재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 2,083재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 132재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 318 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 138재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 3,562재고 상태
2,000예상 2026-05-21
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 67재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 416 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 25재고 상태
500예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 406재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Tube


Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
749예상 2026-03-12
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 비재고 리드 타임 17 주
최소: 750
배수: 750
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 371 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 416 W Enhancement CoolMOS Reel