브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

STGWA30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30M65DF2AG
Price: 6926 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

511-STGWA30M65DF2AG

제조업체 번호:

STGWA30M65DF2AG

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

설계 완성하기

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

STGWA30M65DF2AG 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG에 대해 자세히 알아보십시오.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
패키지/케이스:	TO-247-3
장착 스타일:	Through Hole
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	650 V
콜렉터-이미터 포화 전압:	2.02 V
최대 게이트 이미터 전압:	20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	87 A
Pd - 전력 발산:	441 W
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
자격:	AEC-Q101
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
최대 연속 콜렉터 전류 Ic :	57 A
게이트-이미터 누설 전류:	250 nA
제품 유형:	IGBTs
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors
단위 중량:	6.100 g

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STGWA30M65DF2AG 데이터시트 (PDF)

PCN

규정 준수 코드

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 중국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

STGWA30M65DF2AG 자동차 등급 IGBT

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG 자동차 등급 IGBT는 첨단 독점 트렌치 게이트 필드스톱 구조를 사용하여 설계되었습니다. STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG는 저손실 및 필수 단락 기능을 갖춘 인버터에 최적의 시스템 성능 및 효율 균형을 제공합니다. 이 장치는 AEC-Q101 인증을 받았으며 +175°C의 최대 접합 온도, 6μs의 단락 내성 시간, 30A에서 1.7V의 낮은 V_CE(sat) 및 엄격한 매개변수 분포를 특징으로 합니다. 이 장치는 부드러운 고속 복구 역병렬 다이오드와 낮은 열 저항도 갖추고 있으며 TO-247 롱 리드 패키지로 제공됩니다.