SRAM for Data Acquisition

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SRAM for Data Acquisition

SRAM stands for static random-access memory, a kind of memory chip that uses flip-flop type latching circuitry to store by the bit. SRAM can use very little power when sitting idle for long periods, and thus is better suited for certain applications over other types of memory. Learn More

결과: 485
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 4Mb 256Kx16 55ns Async SRAM 198재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 55 ns 18 MHz Parallel 3.6 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 65재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS 86재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48

ISSI SRAM 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch SRAM 61재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 kbit 32 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube
ISSI SRAM 8Mb 1Mbx8 55ns Async SRAM 164재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb 2.4V-3.6V (10ns) 64K x 16 Async SRAM 112재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS 265재고 상태
270예상 2026-09-09
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 256K (32K x 8) 20ns Async SRAM 3.3v 84재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 76재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 55 ns 3.6 V 2.2 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V Async SRAM 3.3v 91재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Tray
ISSI SRAM 1M (128Kx8) 12ns 5V Async SRAM 480재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Tray

ISSI SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 140재고 상태
270예상 2026-09-21
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS 174재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 64K 8Kx8 10ns 5V Async SRAM 37재고 상태
234주문 중
최소: 1
배수: 1

64 kbit 8 k x 8 10 ns Parallel 5.25 V 4.75 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Tray

ISSI SRAM 4Mb Low Pwr/Pwr Svr Async 512Kx8 8.45ns 125재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tube
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 234재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS 104재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54
ISSI SRAM 2Mb 128Kx16 55ns Async SRAM 376재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 12ns 5v Async SRAM 187재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray

ISSI SRAM 8M (1Mx8) 55ns Async SRAM 5v 105재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,12ns/3.3v, or 15ns/2.5V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 178재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI IS66WVH32M8DBLL-166B1LI
ISSI SRAM 256Mb, 32M x 8 HyperRAM, TFBGA-24 777재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 Mb 32M x 8 36 ns 166 MHz Parallel 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI SRAM 4M (128Kx32) 200MHz Sync SRAM 3.3v 31재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 32 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 225 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT

ISSI SRAM 2M (128Kx16) 12ns Async SRAM 198재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray