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SIZF906BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF906BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZF906BDT-T1-GE3
Price: 4084 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SIZF906BDT-T1-GE3

제조업체 번호:

SIZF906BDT-T1-GE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET PPAIR6X5 2NCH 30V 36A

데이터시트:

SIZF906BDT-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 10,744

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전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩4,084.8	₩4,085
	₩2,649.2	₩26,492
	₩1,820.4	₩182,040
	₩1,478.5	₩739,250
	₩1,366	₩1,366,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩1,206.2	₩3,618,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAIR-6x5F-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	2 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	105 A, 257 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	680 uOhms, 2.1 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 16 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.2 V
Qg - 게이트 전하:	25 nC, 81 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	38 W, 83 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay / Siliconix
구성:	Dual
하강 시간:	5 ns, 10 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	93 S, 170 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	5 ns, 30 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	22 ns, 40 ns
표준 턴-온 지연 시간:	12 ns, 20 ns
단위 중량:	337.318 mg

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데이터시트

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CNHTS:: 8504409100
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiZF906BDT 듀얼 N-채널(D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiZF906BDT 듀얼 N-채널(D-S) MOSFET은 쇼트키가 통합된 SkyFET^® 로우 측 MOSFET입니다. TrenchFET^® Gen IV 전력 MOSFET은 PowerPAIR 6x5F 패키지로 제공되고 100% Rg 및 UIS 테스트를 거쳤습니다. Vishay/Siliconix SiZF906BDT 듀얼 MOSFET은 CPU 코어 전력, 컴퓨터/서버 주변 장치, POL, 동기식 벅 변환기 및 전기통신 DC/DC 애플리케이션에 이상적입니다.