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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 2,654재고 상태
5,000예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 713재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 332재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 2,395재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 3,142재고 상태
3,600예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 6.8 mOhms 20 V 4.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 6,278재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 518재고 상태
5,000예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT PG-TO263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V 520재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12 mOhms 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 3,415재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 134 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 1,486재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 200 V 138 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 72 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 2,329재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 1,785재고 상태
1,980주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 6,995재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 26 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 9.9 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 469재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 39재고 상태
2,500예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 77재고 상태
4,000예상 2026-06-11
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
9,900예상 2027-03-25
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel