GP3D050B170B

SemiQ
148-GP3D050B170B
GP3D050B170B

제조업체:

설명:
SiC 쇼트키 다이오드 SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 175

재고:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩25,491.6 ₩25,492
₩20,410.8 ₩204,108
₩17,636.8 ₩2,116,416
25,020 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
SemiQ
제품 카테고리: SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
1.7 kV
2.27 V
360 A
42 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
브랜드: SemiQ
Pd - 전력 발산: 789 W
제품 유형: SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Diodes & Rectifiers
Vr - 역 전압: 1.7 kV
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.

GP3D050B170B QSiC™ 1700V SiC SCHOTTKY 다이오드

SemiQ GP3D050B170B QSiC™ 1700V SiC( 탄화규소) SCHOTTKY 다이오드는 스위치 모드 전원장치, UPS(무정전 전원장치), 태양광 인버터, EV(전기차) 충전소와 같은 애플리케이션의 크기와 전력 요건을 충족하도록 설계된 TO-247-2L 패키지로 제공됩니다. 이 개별 다이오드는 역회복 전류와 제로에 가까운 스위칭 손실 뿐 아니라 냉각 요건을 줄여 주는 향상된 열 관리 기능이 특징입니다. 따라서 시스템 열 발산을 최소화하는 고효율의 고성능 설계를 통해 더 작은 히트 싱크를 사용하여 공간과 비용을 절약할 수 있습니다. GP3D050B170B 모듈은 전력 애플리케이션에서 향상된 유연성과 확장성을 위해 쉬운 병렬 구성도 지원합니다. SemiQ GP3D050B170B QSiC 1700V SiC SCHOTTKY 다이오드는 -55°C ~ +175°C의 작동 접합부 온도 범위에서 빠른 스위칭을 지원합니다.

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