GaNEXUS™ 질화갈륨 FET

트랜지스터 Onsemi 질화갈륨 FET(GaN FETs)™는 질화갈륨의 광대역 소재 특성을 사용하여, 실리콘 전력 트랜지스터에 비해 빠른 스위칭, 낮은 게이트 및 출력 전하 그리고 향상된 효율성을 제공합니다. 이러한 기능은 저전압, 중전압, 고전압 및 초고전압 전력 변환 애플리케이션에서 작동 주파수를 높이고 전력 밀도를 증가시키며 자기성을 줄일 수 있습니다. 향상 모드 개별 질화갈륨 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)는 40V~650V의전압 범위를 제공하며, 신뢰도를 향상시키고 시스템 통합을 간소화하기 위해 통합 보호 기능이 있는 650V GaNEXUS Smart질화갈륨 FET를 포함합니다. onsemi GaNEXUS 제품군의 이상적인 응용 분야에는 산업 자동화, 로봇 공학, AI 데이터 센터, 자동차 전화 및 에너지 인프라가 포함됩니다.

결과: 5
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 132m, DPAK
데이터시트
2,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT PDSO-E3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 170 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 64 W Enhancement GaNEXUS
onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 75m, DPAK
데이터시트
2,500예상 2026-07-28
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 21 A 100 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement GaNEXUS
onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 75m, 8x8
데이터시트
2,500예상 2026-07-28
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 21 A 100 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement GaNEXUS
onsemi GaN FET GaN FET, 700V,101m, 8x8
데이터시트
2,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 130 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.65 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaNEXUS
onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 132m, 8x8
데이터시트
2,500주문 중
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 170 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement GaNEXUS