IRL 전력 MOSFET

Vishay IRL 전력 MOSFET은 빠른 스위칭, 견고한 설계, 낮은 온 상태 저항 및 비용 효율의 최적의 균형을 제공합니다. Vishay IRL MOSFET은 SOT-223 및 DPAK 패키지로 제공됩니다. 이 MOSFET은 증기 위상, 적외선 또는 웨이브 납땜 기법을 사용하여 표면 실장을 지원합니다. SOT-223 패키지에는 향상된 열 성능을 위한 확장 탭이 있어 1.25W를 초과하는 전력 손실을 지원하는 반면, DPAK 패키지는 일반적인 애플리케이션에서 최대 1.5W의 전력 손실을 허용합니다. IRLU 및 SiHLU 시리즈는 스루홀 장착을 위한 직선 리드 옵션도 제공합니다.

결과: 23
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장

Vishay / Siliconix MOSFET SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET
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90,534재고 상태
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU
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5,328재고 상태
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 30 Amp
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1,186재고 상태
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 28 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 66 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp
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32,720재고 상태
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릴: 2,500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU
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5,900재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
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2,937재고 상태
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없음
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
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5,540재고 상태
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
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11,364재고 상태
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 8A
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162재고 상태
3,000주문 중
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
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5재고 상태
18,000예상 2026-10-29
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
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2,060재고 상태
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFET SOT223 N-CH 60V 2.7A
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
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9,750예상 2026-10-05
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릴: 2,500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
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9,132예상 2026-10-12
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
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릴: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp
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Si Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLR
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Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU
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Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU
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Si Through Hole TO-251-3 Tube