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MOSFET HIGH POWER_LEGACY
- IPB65R110CFDATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
₩9,469.6
-
비재고 리드 타임 8 주
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Mouser 부품 번호
726-IPB65R110CFDATM2
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Infineon Technologies
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MOSFET HIGH POWER_LEGACY
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비재고 리드 타임 8 주
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₩9,469.6
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₩6,490.4
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₩4,681.6
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₩4,438.4
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₩4,149.6
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최소: 1
배수: 1
:
1,000
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Si
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SMD/SMT
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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N-Channel
|
1 Channel
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650 V
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31.2 A
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257 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
118 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
277.8 W
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Enhancement
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Reel, Cut Tape
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MOSFET HIGH POWER_LEGACY
- IPA65R150CFDXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
₩6,338.4
-
비재고 리드 타임 17 주
|
Mouser 부품 번호
726-IPA65R150CFDXKS2
|
Infineon Technologies
|
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
|
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비재고 리드 타임 17 주
|
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|
₩6,338.4
|
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|
₩3,252.8
|
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₩2,948.8
|
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|
₩2,599.2
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최소: 1
배수: 1
|
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|
Si
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Through Hole
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TO-220FP-3
|
|
1 Channel
|
650 V
|
22.4 A
|
351 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
34.7 W
|
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|
Tube
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MOSFET HIGH POWER_LEGACY
- IPP65R190CFDXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
₩5,852
-
비재고 리드 타임 16 주
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Mouser 부품 번호
726-IPP65R190CFDXKSA
|
Infineon Technologies
|
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
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비재고 리드 타임 16 주
|
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|
₩5,852
|
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₩3,009.6
|
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|
₩2,720.8
|
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|
₩2,219.2
|
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|
₩2,097.6
|
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최소: 1
배수: 1
|
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|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
17.5 A
|
190 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
151 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
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MOSFET HIGH POWER_LEGACY
- IPW65R080CFDFKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
₩13,224
-
비재고 리드 타임 18 주
|
Mouser 부품 번호
726-IPW65R080CFDFKS2
|
Infineon Technologies
|
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
|
|
비재고 리드 타임 18 주
|
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|
₩13,224
|
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₩8,086.4
|
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₩6,824.8
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₩6,475.2
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|
최소: 1
배수: 1
|
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|
Si
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Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
43.3 A
|
80 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
167 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
391 W
|
Enhancement
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|
Tube
|
|
대한민국