GCMX 1,200V SiC MOSFET 하프 브리지 모듈

SemiQ GCMX 1200V SIC MOSFET 하프 브리지 모듈은 저스위칭 손실, 저접합-케이스 열 저항, 매우 견고하고 손쉬운 장착 기능을 제공합니다. 이 모듈은 방열판(절연 패키지)을 직접 장착하고 안정적인 작동을 위한 Kelvin 기준 장치를 포함합니다. 모든 부품은 1350V 이상의 전압에 견디도록 엄격하게 테스트되었습니다. 이 모듈의 스탠드아웃 기능은 견고한 1200V 드레 인-소스 전압입니다. GCMX 하프 브리지 모듈은 175°C의 접합부 온도에서 작동하고 RoHS를 준수합니다. 일반적으로 태양광 인버터, 배터리 충전기, 에너지 저장 시스템, 고전압 DC-DC 컨버터에 사용됩니다.

결과: 9
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
시리즈
포장
SemiQ MOSFET 모듈 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module
데이터시트
10재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Screw Mount S3 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 625 A 5.5 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 2.113 kW GCMX Bulk
SemiQ MOSFET 모듈 SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
데이터시트
34재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 383 A 4.4 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.154 kW GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET 모듈 SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
데이터시트
40재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 19 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 385 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET 모듈 SiC 1200V 3mohm MOSFET S7 Half-Bridge Module
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 10
배수: 10

GCMX Bulk
SemiQ MOSFET 모듈 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SiC Screw Mount S3 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 424 A 7 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 1.531 kW GCMX Bulk
SemiQ MOSFET 모듈 SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
릴: 10

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 348 A 4.9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.042 kW GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET 모듈 SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
릴: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 214 A 9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET 모듈 SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
릴: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 173 A 9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 577 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET 모듈 1200V, 40mohm SiC MOSFET Half Bridge Module
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 40
배수: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk