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SIA433EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA433EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA433EDJ-GE3
Price: 978 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

781-SIA433EDJ-GE3

제조업체 번호:

SIA433EDJ-T1-GE3

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

데이터시트:

SIA433EDJ-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 5,156

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공장 리드 타임:: 5 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩978.2	₩978
	₩890.6	₩8,906
	₩598.6	₩59,860
	₩502.2	₩251,100
	₩430.7	₩430,700
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩388.4	₩1,165,200
	₩356.2	₩2,137,200
	₩328.5	₩2,956,500

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SC-70-6
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	20 V
Id - 연속 드레인 전류:	12 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	15 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 12 V, 12 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.2 V
Qg - 게이트 전하:	75 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	19 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET, PowerPAK
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay Semiconductors
구성:	Single
하강 시간:	3.5 us
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	35 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	0.6 us
시리즈:	SIA
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	10 us
표준 턴-온 지연 시간:	0.3 us
부품번호 별칭:	SIA433EDJ-GE3
단위 중량:	41 mg

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문서 필터:

데이터시트

SIA433EDJ-T1-GE3 데이터시트

Models

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

SiA433EDJ 20V P채널 TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay/Siliconix SiA433EDJ 20V P채널 TrenchFET^® Gen III MOSFET는 낮은 온 저항을 제공합니다. SiA433EDJ MOSFET는 -55ºC~150ºC 작동 온도 범위에서 작동합니다. 이 전력 MOSFET는 단일 구성 PowerPAK^® SC-70 패키지 크기로 제공됩니다. SiA433EDJ MOSFET는 폭넓은 범위의 애플리케이션을 수용할 수 있는 정격 온 저항을 제공합니다. 특징으로는 제너 다이오드와 내장형 ESD 보호 기능을 들 수 있습니다. 로드 스위치, 배터리 스위치 및 충전기 스위치 같은 휴대용 장치에 사용됩니다.

TrenchFET Gen III P채널 전력 MOSFET

Vishay/Siliconix TrenchFET^® 3세대 P채널 전력 MOSFET은 낮은 온 저항과 낮은 전압 강하를 제공하여 효율이 향상되고 배터리 시간이 늘어납니다. 이런 전력 MOSFET은 다양한 패키지 크기로 제공됩니다. P-채널 MOSFET은 광범위한 애플리케이션을 수용하는 정격 온-저항을 제공합니다. 부하 스위치, 어댑터 스위치, 배터리 스위치, DC 모터 및 충전기 스위치에 사용됩니다.

산업용 전원 솔루션

Vishay는 산업용 전원 공급 장치에 들어가는 반도체와 수동형 구성 요소를 업계에서 가장 광범위한 종류로 구비하고 있습니다. Vishay의 산업용 전원 공급 장치 제품 포트폴리오에는 전력 MOSFET, 전력 IC, 정류기, 다이오드, 커패시터, 저항기, 인덕터 등이 포함됩니다.