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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 게이트-이미터 누설 전류 패키지/케이스 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Infineon Technologies IGBT 모듈 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode 30재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 600 A dual IGBT module 24재고 상태
8예상 2026-06-11
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 450 A common emitter IGBT module 29재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 800 A dual IGBT module 30재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 800 A dual IGBT module 28재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 450 A dual IGBT module
32예상 2026-06-11
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 600 A dual IGBT module
32예상 2026-06-11
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray