이산 반도체의 유형

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IXYS MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Ohm Rds 비재고 리드 타임 37 주
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds 재고 없음
최소: 30
배수: 30
MOSFETs Si SMD/SMT TO-268-3
IXYS MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds 비재고 리드 타임 37 주
최소: 300
배수: 30
MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds 비재고 리드 타임 37 주
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds 비재고 리드 타임 39 주
최소: 300
배수: 30
MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds 비재고 리드 타임 37 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFET 모듈 IXTT96N20P TRL 비재고 리드 타임 39 주
최소: 400
배수: 400
: 400

MOSFET Modules Si SMD/SMT TO-268-3
IXYS MOSFET 모듈 IXTY02N120P TRL 비재고 리드 타임 32 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFET Modules Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS MOSFET 모듈 IXTY08N100P TRL 비재고 리드 타임 32 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

MOSFET Modules Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS MOSFET 모듈 IXTY1N100P TRL 비재고 리드 타임 32 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

MOSFET Modules Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS MOSFET 모듈 IXTY1N80P TRL 비재고 리드 타임 32 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

MOSFET Modules Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS MOSFET IXTY1R4N120P TRL 비재고 리드 타임 32 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
IXYS MOSFET 모듈 IXTY2N100P TRL 비재고 리드 타임 32 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFET Modules Si SMD/SMT TO-252-3
Littelfuse 쇼트키 다이오드 및 정류기 Schottky Diode Gen 2 비재고 리드 타임 17 주

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT
IXYS MOSFET IXTA2N100P TRL 비재고 리드 타임 60 주

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS IXTF2N300P3
IXYS MOSFET ISOPLUS 3KV 2A N-CH POLAR 비재고 리드 타임 58 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IXTF6N200P3
IXYS MOSFET ISOPLUS 2KV 4A N-CH POLAR3 비재고 리드 타임 58 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS MMIX2F60N50P3
IXYS MOSFET 모듈 SMPD 500V 30A N-CH POLAR3 비재고 리드 타임 26 주
최소: 300
배수: 20

MOSFET Modules Si SMD/SMT