이산 반도체의 유형
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수량 RoHS 제품 유형
기술
장착 스타일
패키지/케이스
IXYS MOSFET TO263 1KV 1A N-CH POLAR
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
IXYS MOSFET IXTA36N30P TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET IXTA3N100P TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 32 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET IXTA42N25P TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET IXTA4N80P TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1
릴: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET IXTA50N20P TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET IXTA62N15P TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET IXTA75N10P TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
데이터시트
재고 없음
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds
데이터시트
리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
데이터시트
재고 없음
최소: 30
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 44 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3

IXYS MOSFET -10.0 Amps -600V 0.790 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 37 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 133 Amps 100V 0.008 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET -18 Amps -600V 0.385 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 46 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET -90.0 Amps -200V 0.048 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 37 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET 모듈 IXTT140N10P TRL
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 1
배수: 1
릴: 400

MOSFET Modules Si SMD/SMT TO-268-3