GCMX 1200V SiC MOSFET 풀 브리지 모듈

SemiQ GCMX 1200V SIC MOSFET 풀 브리지 모듈은 저스위칭 손실, 저접합-케이스 열 저항, 매우 견고하고 간편한 장착 기능을 제공합니다. 이 모듈은 방열판(절연 패키지)을 직접 장착하고 안정적인 작동을 위한 Kelvin 기준 장치를 포함합니다. 모든 부품은 1350V 이상의 전압에 견디도록 엄격하게 테스트되었습니다. 이 모듈의 특징은 견고한 1200V의 드레인-소스 전압입니다. °GCMX 풀 브리지 모듈은 175°C의 접합부 온도에서 작동하고 RoHS를 준수합니다. 일반적으로 태양광 인버터, 배터리 충전기, 에너지 저장 시스템 및 고전압 DC-DC 컨버터에 사용됩니다.

결과: 9
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
시리즈
포장
SemiQ MOSFET 모듈 SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
데이터시트
31재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 53 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 208 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET 모듈 SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
데이터시트
35재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 27 A 77 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 119 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET 모듈 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SiC Press Fit B3 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 201 A 8.9 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 600 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET 모듈 SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
데이터시트
재고 없음
최소: 40
배수: 40
릴: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 18 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 333 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET 모듈 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 40
배수: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 333 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET 모듈 SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
데이터시트
재고 없음
최소: 40
배수: 40
릴: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 93 A 18.1 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 300 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET 모듈 SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
데이터시트
재고 없음
최소: 40
배수: 40
릴: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 56 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 217 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET 모듈 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 40
배수: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk
SemiQ MOSFET 모듈 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 40
배수: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 100 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 119 W GCMX Bulk