SiC 쇼트키 배리어 다이오드

Microsemi / Microchip SiC SBD(쇼트키 배리어 다이오드)는 종래의 실리콘 전력 다이오드보다 우수한 동적 성능과 및 열성능을 제공합니다. SiC(탄화규소) 배리어 다이오드는 규소(Si)와 탄소(C)로 구성됩니다. SiC 장치는 규소만으로 제작된 장치에 비해 훨씬 더 큰 절연 파괴 전계 강도, 더 높은 밴드갭 및 더 높은 열전도성을 제공합니다. SiC 쇼트키 다이오드는 순방향 및 역방향 회복 전하가 0인 점이 특징으로, 다이오드 스위칭 손실을 줄여줍니다. 또한, 이 장치는 온도에 독립적인 스위칭을 제공하여 안정적인 고온 성능을 보장합니다.

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Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FP-2
Microchip Technology SiC MOSFET FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 700 V, 10 A SiC SBD
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656재고 상태
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
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382재고 상태
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2

Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
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76재고 상태
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-247
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495재고 상태
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268
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132재고 상태
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-268-3
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 1200 V, 30 A SiC SBD
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575재고 상태
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 1200 V, 10 A SiC SBD
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75재고 상태
최소: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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105재고 상태
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
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63재고 상태
최소: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 SIC SBD 700 V 30 A TO-247
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168재고 상태
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배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 700 V, 20 A SiC SBD
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250재고 상태
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 700V, 30A SiC SBD
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154재고 상태
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
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30예상 2026-07-10
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
데이터시트
7재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 700 V, 50 A SiC SBD
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121재고 상태
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
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50재고 상태
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
데이터시트
94재고 상태
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배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 1200 V, 10 A SiC SBD
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108재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
Microchip Technology SiC 쇼트키 다이오드 SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
데이터시트
35재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK