CoolSiC™ G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ G2 실리콘 카바이드 MOSFET은 모든 일반적인 전력 체계 조합 (AC-DC, DC-DC 및 DC-AC) 에서 최고 품질 표준을 충족하면서 우수한 수준의 SiC 성능을 구현합니다. SiC MOSFET는 실리콘 대비 태양광 인버터, 에너지 저장 시스템, 전기차 충전, 전원 공급 장치, 모터 드라이브에서 향상된 성능을 제공합니다. Infineon CoolSiC G2 MOSFET은 열 성능을 유지하면서 반도체 칩 성능을 개선하는 일반적인 문제를 극복하는 고유한 XT 상호 연결 기술(예: 개별 하우징 TO-263-7, TO-247-4)을 더욱 발전시킵니다. G2 열 성능은 12%보다 우수하여 칩 성능 지수를 견고한 SiC 성능 수준으로 향상시킵니다.

트랜지스터의 유형

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결과: 40
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Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 1,391재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 1,071재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 643재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 710재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 731재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 754재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 725재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SiC MOSFETS TOLL-8
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 737재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 162재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 171재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 86재고 상태
240예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 218재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 5,088재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 511재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 925재고 상태
1,000예상 2026-10-29
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,178재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 480재고 상태
240예상 2026-06-18
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 122재고 상태
240예상 2026-08-20
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 394재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,063재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 361재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,054재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,189재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3,648재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel