DMTx MOSFET

Diodes Incorporated DMTx MOSFET은 낮은 낮은 온 저항 및 고속 스위칭을 제공하는 N채널 강화 모드 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 자동차 애플리케이션의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. Diodes Incorporated DMTx MOSFET은 고효율 전력 관리 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 250
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 60,000구매 가능한 공장 재고품
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 96.3 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A 25,000구매 가능한 공장 재고품
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 34 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-7
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 86,000구매 가능한 공장 재고품
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Si PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT V-DFN3030-K-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Si V-DFN3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K 비재고 리드 타임 24 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000
Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 24 V 70 A 5 mOhms - 12 V, 12 V 550 mV 29.6 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 24 V 50 A 7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 46.7 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh FET 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A 비재고 리드 타임 24 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 N-Channel 1 Channel Reel
Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A 비재고 리드 타임 24 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 14 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K 비재고 리드 타임 24 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 13.9 nC 1.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 13.9 nC 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 90 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9.5 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel