RF6L025BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6L025BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6L025BGTCR
Price: 992 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-RF6L025BGTCR

제조업체 번호:

RF6L025BGTCR

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

MOSFET SOT363 N-CH 60V 2.5A

데이터시트:

RF6L025BGTCR 데이터시트

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
	₩992.8	₩993
	₩611.7	₩6,117
	₩392.7	₩39,270
	₩297.8	₩148,900
	₩267.2	₩267,200
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩220.5	₩661,500
	₩202.9	₩1,217,400
	₩181	₩1,629,000
	₩173.7	₩4,168,800

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOT-363T-6
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	2.5 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	91 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	3.1 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	1 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	3.1 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	1.3 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	4.8 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	13 ns
표준 턴-온 지연 시간:	5.3 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

RF6L025BGTCR 데이터시트

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF6L025BG 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor RF6L025BG 전력 MOSFET은 60V 드레인-소스 전압(V_DSS) 및 ±2.5 A 연속 드레인 전류(I_D)가 특징입니다. 이 N채널 MOSFET은 91 mΩ의 낮은 온 저항(R_DS(on))과 1W(P_D)의 전력 손실을 제공합니다. RF6L025BG MOSFET은 -55°C ~ 150°C 작동 접합 및 보관 온도 범위에서 작동하고 무할로겐, 소형 표면 실장 패키지(TUMT6 또는 SOT-363T)로 제공됩니다. 이 RoHS 규격 준수 장치는 무연 도금을 통합하고 있습니다. RF6L025BG 전력 MOSFET은 스위칭, 모터 드라이브 및 DC/DC 컨버터 애플리케이션에 적합합니다.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.