PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.

결과: 22
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 포장
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 4,698재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 45.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 5,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 4,899재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 65 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 5,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 4,986재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 38 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 21.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 2,980재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 93 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 2,996재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 85 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 41.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 3,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 2,996재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 68 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2,585재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 61 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 31.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 2,980재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 58 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 3,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16.7 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 3,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 27.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 3,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 2,995재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 37 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 19.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 75 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 26.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 36 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 152 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 29.6 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel