핫스왑 및 소프트 스타트용 CCPAK ASFET

핫스왑 및 소프트 스타트용 Nexperia CCPAK ASFET은 신뢰할 수 있는 선형 모드, 향상된 SOA 및 낮은 RDS(on)을 제공합니다. CCPAK ASFET은 라이브 시스템에 교체 보드를 삽입할 때, 해당 보드의 부품들을 보호하기 위해 돌입 전류를 정밀하게 제어하도록 설계되었습니다. 이 장치는 이러한 상시 작동 시스템에 어떠한 전력 중단도 발생하지 않도록 보장합니다. Nexperia CCPAK ASFET은 단일 장치에서 강력한 SOA와 낮은 RDS(on)을 구현하도록 최적화되어 있습니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Nexperia MOSFET SOT8000 100V 430A
데이터시트
25재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PSMN1R2-80ASE/SOT800 0A/CCPAK12
데이터시트
200재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R2-80CSE/SOT800 5A/CCPAK12
데이터시트
147재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R4-100ASE/SOT80 00A/CCPAK1
데이터시트
50재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R4-100CSE/SOT80 05A/CCPAK1
데이터시트
245재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT8000 N-CH 80V 495A
데이터시트
제품 코멘트
2,955예상 2027-06-11
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel