M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

결과: 8
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
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1,086재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Max247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
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제품 코멘트
457재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 30 A 283 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
데이터시트
제품 코멘트
374재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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138재고 상태
600예상 2026-08-13
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
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1,000예상 2026-08-31
최소: 1
배수: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
데이터시트
1,593예상 2026-08-31
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
데이터시트
592예상 2027-08-13
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
데이터시트
비재고 리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 55 C + 175 C M Tube