DMT3006LFDF-7

Diodes Incorporated
621-DMT3006LFDF-7
DMT3006LFDF-7

제조업체:

설명:
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V

ECAD 모델:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩1,065.8 ₩1,066
₩668.7 ₩6,687
₩462.8 ₩46,280
₩353.3 ₩176,650
₩318.3 ₩318,300
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩243.8 ₩731,400
₩232.1 ₩1,392,600
₩219 ₩1,971,000
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제품 속성 속성 값 속성 선택
Diodes Incorporated
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-2020-6
N-Channel
1 Channel
30 V
14.1 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
16.7 nC
- 55 C
+ 150 C
2.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Diodes Incorporated
구성: Single
제품 유형: MOSFETs
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
단위 중량: 6.750 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

게이트 드라이버

Diodes Incorporated 게이트 드라이버는 전력 시스템 및 모터 드라이브의 다양한 애플리케이션을 포괄합니다. 이 게이트 드라이버는 마이크로컨트롤러와 IGBT 또는 MOSFET 전원 스위치 사이의 인터페이스 역할을 합니다. 이 게이트 드라이버는 슛스루를 제어하면서 최적의 드라이브 특성을 제공합니다.

DMT3006LFDF-7 N채널 강화 모드 MOSFET

Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7 MOSFET는 30V N채널 강화 모드 MOSFET로서, 0.6mm 프로파일과 4mm2 설치 공간을 제공하도록 설계되었습니다. 높은 신뢰도를 위해 AEC-Q101 표준에 따라 인증된 DMT3006LFDF-7 MOSFET는 우수한 스위칭 성능을 유지하면서 온 상태의 저항을 최소화합니다. 이 MOSFET는 5.8~15mΩ 온 상태 저항, 1~3V 게이트 임계 전압, 12.5~14.1A 연속 드레인 전류 및 2.1W 소비전력을 제공합니다. 스위칭 성능에는 4.6ns의 턴 오프 하강 시간, 5.5ns의 턴온 상승 시간, 13.5ns의 표준 턴 오프 지연 시간, 3.5ns의 표준 턴온 지연 시간 및 19.3의 역 복구 시간이 포함됩니다. 30V DMT3006LFDF-7 N채널 강화 모드 MOSFET의 설계 덕분에 이 장치는 고효율 전력 관리 애플리케이션에 이상적입니다.

DMTx MOSFET

Diodes Incorporated DMTx MOSFET은 낮은 낮은 온 저항 및 고속 스위칭을 제공하는 N채널 강화 모드 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 자동차 애플리케이션의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. Diodes Incorporated DMTx MOSFET은 고효율 전력 관리 애플리케이션에 이상적입니다.