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SIR870DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR870DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIR870DP-T1-GE3
Price: 3299 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

781-SIR870DP-T1-GE3

제조업체 번호:

SIR870DP-T1-GE3

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)

데이터시트:

SIR870DP-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 8,570

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공장 리드 타임:: 4 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

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포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩3,299.6	₩3,300
	₩2,496.6	₩24,966
	₩1,927.2	₩192,720
	₩1,722.8	₩861,400
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩1,474.6	₩4,423,800

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK-SO-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	60 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.2 V
Qg - 게이트 전하:	84 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	104 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET, PowerPAK
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay Semiconductors
구성:	Single
하강 시간:	8 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	80 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	10 ns
시리즈:	SIR
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	38 ns
표준 턴-온 지연 시간:	12 ns
부품번호 별칭:	SIR870DP-GE3
단위 중량:	506.600 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SIR870DP-T1-GE3 데이터시트

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

SiR870DP 100V N-Channel TrenchFET® Power MOSFET

Vishay / Siliconix SiR870DP 100V N-channel TrenchFET^® Power MOSFET utilizes ThunderFET technology to provide a low on-resistance of 7.8mΩ at 4.5V. Additionally, the SiR870DP also offers a very low on-resistance of 6mΩ at 10V. These Vishay / Siliconix ThunderFET devices also provide a low 208 mΩ-nC figure of merit (FOM) at 4.5V. This low on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. SiR870DP 100V TrenchFET Power MOSFETs are designed for higher frequency and switching applications.

산업용 전원 솔루션

Vishay는 산업용 전원 공급 장치에 들어가는 반도체와 수동형 구성 요소를 업계에서 가장 광범위한 종류로 구비하고 있습니다. Vishay의 산업용 전원 공급 장치 제품 포트폴리오에는 전력 MOSFET, 전력 IC, 정류기, 다이오드, 커패시터, 저항기, 인덕터 등이 포함됩니다.