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SIS890ADN-T1-GE3

Name: Vishay SIS890ADN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS890ADN-T1-GE3
Price: 1927 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SIS890ADN-T1-GE3

제조업체 번호:

SIS890ADN-T1-GE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET

데이터시트:

SIS890ADN-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩1,927.2	₩1,927
	₩1,219.1	₩12,191
	₩804.5	₩80,450
	₩638	₩319,000
	₩581.1	₩581,100
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩506.6	₩1,519,800
	₩468.7	₩2,812,200
	₩440.9	₩3,968,100

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK-1212-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	24.7 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	25.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	19.2 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	39 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay / Siliconix
하강 시간:	4 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	45 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6 ns
시리즈:	SIS
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	TrenchFET Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	19 ns
표준 턴-온 지연 시간:	9 ns
단위 중량:	1 g

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속성 선택됨: 0

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFET은 차세대 TrenchFET® 전력 MOSFET 제품군입니다. TrenchFET Gen IV MOSFET은 PowerPAK^® SO-8 및 1212-8S 패키지로 업계에서 낮은 온저항과 낮은 총 게이트 전하를 제공합니다. 이 TrenchFET Gen IV MOSFET은 극도로 낮은 R_DS(on)이 특징이며 전력 소비 감소를 위해 전도 손실을 낮춥니다. TrenchFET MOSFET은 또한 1/3의 크기이며 비슷한 효율을 자랑하는 공간 절약형 PowerPAK^® 1212-8 패키지와 함께 제공됩니다. 일반적인 애플리케이션으로는 고전력 DC / DC 컨버터, 동기식 정류, 태양광 마이크로인버터 및 모터 드라이브 스위치가 있습니다.

SiS890ADN N-채널 100V MOSFET

Vishay/Siliconix SiS890ADN N-채널 100V MOSFET은 100V_DC 드레인-소스 전압, 40A 펄스 드레인 전류 및 단일 구성을 제공합니다. SiS890ADN MOSFET은 TrenchFET^® GEn IV 전력 소자와 함께 낮은 R_DS x Q_G FOM(성능 지수)이 특징입니다. 이 MOSFET은 100% R_g 및 UIS 테스트를 거쳤습니다. Vishay SiS890ADN N-채널 100V MOSFET은 동기식 정류, 1차 측스위치, DC/DC 변환기 및 회로 보호에 매우 적합합니다.