D5F1GM9 High-Speed QSPI NAND Flash

GigaDevice D5F1GM9 High-Speed QSPI NAND Flash features breakthrough read speeds and innovative Bad Block Management (BBM) functionality. The GD5F1GM9 series combines NOR Flash's high-speed read performance with NAND Flash's large capacity and cost-effectiveness. These innovations address slow response times and vulnerability to bad block interference associated with traditional SPI NAND Flash. This high-speed QSPI NAND Flash is built on a 24nm process node. The series supports 3V and 1.8V operating voltages along with high-speed read modes. The GigaDevice GD51GM9 is ideal for fast-boot applications in sectors such as security, industrial, and the Internet of Things (IoT).

결과: 12
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 포장
GigaDevice GD5F1GM9REBIGY
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 4,800
배수: 4,800

Tray
GigaDevice GD5F1GM9REWIGR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Reel
GigaDevice GD5F1GM9REYIGR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Reel
GigaDevice GD5F1GM9UEBIGY
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 4,800
배수: 4,800

Tray
GigaDevice GD5F1GM9UEWIGR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Reel
GigaDevice GD5F1GM9UEYIGR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Reel
GigaDevice GD5F1GM9REBJGY
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 4,800
배수: 4,800

Tray
GigaDevice GD5F1GM9REWJGR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Reel
GigaDevice GD5F1GM9REYJGR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Reel
GigaDevice GD5F1GM9UEBJGY
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 4,800
배수: 4,800

Tray
GigaDevice GD5F1GM9UEWJGR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Reel
GigaDevice GD5F1GM9UEYJGR
GigaDevice NAND 플래시 비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Reel