DSC1003 저전력 정밀 CMOS 발진기

Microchip DSC1003 저전력 정밀 CMOS 발진기는 실리콘 MEMS 기반 CMOS 발진기입니다. 이 발진기는 폭넓은 공급 전압 및 온도 범위에서 우수한 지터 및 안정성 성능을 제공합니다. 각 장치는 1~150MHz, 1.8~3.3V의 공급 전압 범위, -40ºC~105ºC의 확장된 온도 범위에서 작동합니다. DSC1003은 DSC1001과 동일한 기능과 성능을 보유하고 있지만 출력 구동(CL< 25pf) 값이 더 큽니다. DSC1003은 수정 기반 발진기에는 공통적인 사항이지만, 극히 견고하고 응력 관련 파괴에 거의 내성이 있는 완전 실리콘 공진기가 내장되어 있습니다. 첨단 시스템에 요구되는 성능과 안정성을 훼손하지 않고 수정을 사용하지 않는 설계 장치를 통해 더 높은 신뢰성 수준을 달성할 수 있습니다. 따라서 이 발진기는 응력, 충격 및 진동이 수정 진동자 기반 시스템을 손상시킬 수 있는 거친 환경, 산업 현장용 및 휴대용 애플리케이션에 이상적입니다.
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결과: 213
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전류 정격
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시리즈
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 25ppm
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1,000재고 상태
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 32.768MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 5.0x3.2mm
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56재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 32.768 MHz 20 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER
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592재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 24 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 10ppm
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854재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 20 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 10ppm
데이터시트
300재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

CDFN-4 20 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator, Low Power 10ppm
데이터시트
925재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 25 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Hi Perf -40C-105C 25ppm
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40재고 상태
100예상 2026-07-21
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 100 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -40C-105C
데이터시트
427재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 25 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
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21재고 상태
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 Oscillator Low Power -40C+85C 25ppm
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1,000예상 2026-10-19
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 100 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS Oscillator Lower Power 50ppm
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246재고 상태
400예상 2026-07-21
최소: 1
배수: 1

CDFN-4 8 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER
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비재고 리드 타임 12 주
최소: 700
배수: 25

CDFN-4 24 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 52MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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비재고 리드 타임 12 주
최소: 700
배수: 25

CDFN-4 52 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 52MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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비재고 리드 타임 12 주
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배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 52 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 25 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER
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CDFN-4 13.5288 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER
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비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 13.5288 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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비재고 리드 타임 12 주
최소: 700
배수: 25

CDFN-4 50 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
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비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 50 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSCILLATOR LOW POWER
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배수: 420

CDFN-4 24.576 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 16MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
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비재고 리드 타임 12 주
최소: 700
배수: 25

CDFN-4 16 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 16MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
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최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 16 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
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비재고 리드 타임 12 주
최소: 700
배수: 25

CDFN-4 48 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 48MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

CDFN-4 48 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003
Microchip Technology MEMS 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 50MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 700
배수: 25

CDFN-4 50 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1003