D/CRCW-HR e3 하이 밸류 후막 칩 저항기

Vishay/Dale D/CRCW-HR e3 하이 밸류 후막 칩 저항기는 최대 470MΩ의 고저항 값을 특징으로 하는 직사각형의 무연 저항기입니다. -55~+155°C 온도 범위에서 작동하는 D/CRCW-HR 저항기는 전압 분배기 및 하이브리드에 적합합니다. D/CRCW-HR e3 하이 밸류 후막 칩 저항기는 순수 주석 도금과 함께 고품질 세라믹에 금속 유약을 입힌 것이 특징입니다.

결과: 94
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 포장 시리즈 저항 전력 정격 공차 온도 계수 최저 작동온도 최고 작동온도 전압 정격 케이스 코드 - in 케이스 코드 - mm 길이 너비 높이 적용 특징
Vishay 후막 저항기 - SMD D25/CRCW1206-HR 500 33M 5% ET1 e3
4,750예상 2026-02-18
최소: 1
배수: 1

Reel D/CRCW-HR e3 33 MOhms 250 mW (1/4 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 200 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD 1/10watt 20Mohms 5%
4,995예상 2026-05-05
최소: 1
배수: 1
: 5,000
없음
Reel, Cut Tape, MouseReel D/CRCW-HR 20 MOhms 100 mW (1/10 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 75 V 0603 1608 1.55 mm (0.061 in) 0.85 mm (0.033 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-HR 500 13M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

D/CRCW-HR e3 13 MOhms 100 mW (1/10 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 75 V 0603 1608 1.55 mm (0.061 in) 0.85 mm (0.033 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-HR 500 18M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

D/CRCW-HR e3 18 MOhms 100 mW (1/10 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 75 V 0603 1608 1.55 mm (0.061 in) 0.85 mm (0.033 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD 22M OHM 5% 500PPM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Reel D/CRCW-HR e3 22 MOhms 100 mW (1/10 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 75 V 0603 1608 1.55 mm (0.061 in) 0.85 mm (0.033 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D11/CRCW0603-HR 500 56M 5% ET1 E3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

D/CRCW-HR e3 56 MOhms 100 mW (1/10 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 75 V 0603 1608 1.55 mm (0.061 in) 0.85 mm (0.033 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD 68M OHM 5% 500PPM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Reel D/CRCW-HR e3 68 MOhms 100 mW (1/10 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 75 V 0603 1608 1.55 mm (0.061 in) 0.85 mm (0.033 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D12/CRCW0805-HR 500 12M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

D/CRCW-HR e3 12 MOhms 125 mW (1/8 W) 5 % - 55 C + 155 C 2012 1.25 mm (0.049 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D12/CRCW0805-HR 500 16M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

D/CRCW-HR e3 16 MOhms 125 mW (1/8 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 150 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D12/CRCW0805-HR 500 240M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

D/CRCW-HR e3 240 MOhms 125 mW (1/8 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 150 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D12/CRCW0805-HR 500 270M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Reel D/CRCW-HR e3 270 MOhms 125 mW (1/8 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 150 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D12/CRCW0805-HR 500 300M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

D/CRCW-HR e3 300 MOhms 125 mW (1/8 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 150 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D12/CRCW0805-HR 500 33M 5% ET1 E3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Reel D/CRCW-HR e3 33 MOhms 125 mW (1/8 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 150 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D12/CRCW0805-HR 500 39M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

D/CRCW-HR e3 39 MOhms 125 mW (1/8 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 150 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D12/CRCW0805-HR 500 51M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

D/CRCW-HR e3 51 MOhms 125 mW (1/8 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 150 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D12/CRCW0805-HR 500 68M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Reel D/CRCW-HR e3 68 MOhms 125 mW (1/8 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 150 V 0805 2012 2 mm (0.079 in) 1.25 mm (0.049 in) 0.45 mm (0.018 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D25/CRCW1206-HR 500 160M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

D/CRCW-HR e3 160 MOhms 250 mW (1/4 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 200 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D25/CRCW1206-HR 500 180M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Reel D/CRCW-HR e3 180 MOhms 250 mW (1/4 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 200 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD 1/4watt 18Mohms 5% 500ppm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Reel, Cut Tape, MouseReel D/CRCW-HR e3 18 MOhms 250 mW (1/4 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 200 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D25/CRCW1206-HR 500 220M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Reel D/CRCW-HR e3 220 MOhms 250 mW (1/4 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 200 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D25/CRCW1206-HR 500 22M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Reel D/CRCW-HR e3 22 MOhms 250 mW (1/4 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 200 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D25/CRCW1206-HR 500 30M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Reel D/CRCW-HR e3 30 MOhms 250 mW (1/4 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 200 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D25/CRCW1206-HR 500 330M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Reel D/CRCW-HR e3 330 MOhms 250 mW (1/4 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 200 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD D25/CRCW1206-HR 500 75M 5% ET1 e3 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Reel D/CRCW-HR e3 75 MOhms 250 mW (1/4 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 200 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in)
Vishay 후막 저항기 - SMD 1/4watt 15Mohms 5% 비재고 리드 타임 12 주
최소: 50,000
배수: 5,000
: 5,000

Reel D/CRCW-HR e3 15 MOhms 250 mW (1/4 W) 5 % 500 PPM / C - 55 C + 155 C 200 V 1206 3216 3.2 mm (0.126 in) 1.6 mm (0.063 in) 0.55 mm (0.022 in) General Purpose