P-0FNL 3kA SIDACtor 보호 사이리스터

Littelfuse P-0FNL 3kA SIDACtor 시리즈는 양방향 서지 전류 보호 사이리스터 장치이며 TO-262M 패키지로 제공됩니다. 보호 사이리스터는 AC 전원 입력 라인을 보호하기 위해 배리스터 또는 TVS 다이오드와 같은 클램핑 장치와 직렬로 사용하도록 설계되었습니다. 대상 애플리케이션으로는 실외 LED 조명, CATV 네트워크, 전원 공급 장치 및 인버터를 들 수 있습니다. P-0FNL 구성 요소는 3kA 8/20 서지 정격 사양을 갖추고 있는데, 여러 차례의 이벤트 후 서지 성능이 저하되지 않습니다. Littelfuse 사이리스터는 낮은 오프슛 전압, 낮은 온 상태 전압을 나타내며 응답 시간이 빠릅니다. P-0FNL 시리즈는 자동차 등급에 대한 AEC-Q101 인증을 획득했으며 RoHS를 준수하며 무연 및 무할로겐입니다.

결과: 24
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 정격 반복성 오프 상태 전압 VDRM VDRM IDRM에서의 오프 상태 누설 전류 홀딩 전류(Ih 최대) 온 상태 전압 오프 상태 전기 용량 CO 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 자격 포장
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 3kA 8/20 SURGE RATNG TO-262M AEC-Q101 1,238재고 상태
최소: 1
배수: 1

350 V 5 uA 50 mA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tube
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 58V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 500
배수: 500

58 V 5 uA 50 mA 4 V 550 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tube
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 58V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 200
배수: 200

58 V 5 uA 4 V 550 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tray
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 65V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 500
배수: 500

65 V 5 uA 50 mA 4 V 550 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tube
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 65V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 200
배수: 200

65 V 5 uA 4 V 550 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tray
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 75V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 500
배수: 500

75 V 5 uA 50 mA 4 V 550 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tube
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 75V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 200
배수: 200

75 V 5 uA 4 V 550 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tray
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 90V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 500
배수: 500

90 V 5 uA 50 mA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tube
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 90V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 200
배수: 200

90 V 5 uA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tray
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 120V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 500
배수: 500

120 V 5 uA 50 mA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tube
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 120V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 200
배수: 200

120 V 5 uA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tray
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 140V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1

140 V 5 uA 50 mA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tube
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 140V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 200
배수: 200

140 V 5 uA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tray
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 155V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 500
배수: 500

155 V 5 uA 50 mA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tube
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 155V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 200
배수: 200

155 V 5 uA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tray
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 180V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 500
배수: 500

180 V 5 uA 50 mA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tube
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 180V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 200
배수: 200

180 V 5 uA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tray
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 220V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 500
배수: 500

220 V 5 uA 50 mA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tube
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 220V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 200
배수: 200

220 V 5 uA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tray
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 275V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 500
배수: 500

275 V 5 uA 50 mA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tube
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 275V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 200
배수: 200

275 V 5 uA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tray
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 320V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 500
배수: 500

320 V 5 uA 50 mA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tube
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 320V 3kA BI TO262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 200
배수: 200

320 V 5 uA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tray
Littelfuse TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 3kA 8/20 SURGE RATNG TO-262M AEC-Q101 비재고 리드 타임 15 주
최소: 200
배수: 200

350 V 5 uA 4 V 450 pF - 55 C + 125 C SMD/SMT TO-262M-2 AEC-Q101 Tray