CoolGaN™ 드라이브 HB 600V G5 스위치

Infineon Technologies CoolGaN™ 드라이브 HB 600V G5 스위치는 140mΩ, 270MΩ 또는 500MΩ의 온 저항 옵션과 함께 2개의 600V 강화 모드 CoolGaN 스위치를 갖춘 하프 브리지 전력단을 통합하고 있습니다. 이 스위치는 내장형 게이트 드라이버를 포함하고 소형 6mm×8mm TFLGA-27 패키지로 제공됩니다. 저/중전력 애플리케이션용으로 설계된이 스위치는 CoolGaN 기술의 우수한 스위칭 성능을 활용하는 고밀도 모터 드라이브 및 SMPS(스위치 모드 전원 공급 장치)에 이상적입니다. Infineon의 CoolGaN 스위치는 “온” 상태에서 몇 밀리암페어의 연속 게이트 전류로 구동 시 최소 온 상태 저항을 보장하는 견고한 게이트 구조가 특징입니다.

결과: 3
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
타입
장착 스타일
패키지/케이스
드라이버 수
출력 수
출력 전류
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
상승 시간
하강 시간
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Infineon Technologies 게이트 드라이버 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
데이터시트
2,098재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Gate Driver High-Side, Low-Side SMD/SMT TFLGA-27 2 Driver 1 Output 290 mA, 700 mA 10 V 20 V 70 ns 35 ns - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 게이트 드라이버 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
데이터시트
2,093재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Gate Driver High-Side, Low-Side SMD/SMT TFLGA-27 2 Driver 1 Output 290 mA, 700 mA 10 V 20 V 70 ns 35 ns - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 게이트 드라이버 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
데이터시트
3,000주문 중
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Gate Driver High-Side, Low-Side SMD/SMT TFLGA-27 2 Driver 1 Output 290 mA, 700 mA 10 V 20 V 70 ns 35 ns - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape