공통 드레인 포함 통합형 MOSFET

Vishay의 공통 드레인 포함 통합형 MOSFET는 표면 장착 기능을 제공하는 1개, 2개, 3개의 채널입니다. 이 통합형 MOSFET은 N 채널 및 N+P 채널 옵션이 있을 뿐 아니라, 항복 전압 범위가 20~200V입니다. 강화 모드 MOSFET은 6개 또는 8개의 핀이 있고, 전력 손실 범위는 1.5~69.4W이며, 온 드레인 소스 저항은 2.15~26mΩ입니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Vishay Semiconductors MOSFET 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
데이터시트
15,084재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8SCD-8 N-Channel 2 Channel 30 V 60 A 4.2 mOhms - 16 V, 20 V 2.1 V 53 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8SCD
데이터시트
3,586재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212SCD-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET PPAK1212 2NCH 25V 30.5A
데이터시트
2,971재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 2.15 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 51 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement PowerPAK Ammo Pack
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
데이터시트
2,613재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 2 Channel 30 V 108 A 4 mOhms - 12 V, 16 V 2.3 V 40 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6
데이터시트
재고 없음
최소: 6,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT MicroFoot-6 N-Channel 1 Channel 24 V 11 A 28 mOhms - 12 V, 12 V 400 mV - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement Reel
Vishay Semiconductors MOSFET 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V
데이터시트
재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT Triple die N-Channel, P-Channel 3 Channel 40 V, 200 V 20 A, 30 A 9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms - 25 V, 25 V 1.5 V, 2.5 V 14 nC, 23 nC, 30.2 nC - 55 C + 175 C 48 W, 60 W Enhancement TrenchFET Reel