RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced Trench technology and design to provide excellent RDS(ON) and a low gate charge. This device features good stability and uniformity with high single pulse avalanche energy. The RM150N60HD is ideal for hard-switched and high-frequency circuits, power switching, and uninterruptible power supplies.

결과: 2
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
Rectron MOSFET 683재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 163 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFET MOSFET D2-PAK 재고 없음
최소: 1,600
배수: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 163 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement Reel