S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices

Infineon Technologies S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices are VIO VCC 2.7V to 3.6V flash non-volatile memory devices. These devices use 65nm MirrorBit technology. Designed using Eclipse™ architecture with a 512-byte page programming buffer. The 512-Mb S25FL512S FL-S NOR allows users to program up to 256 words (512 bytes) in one operation. This results in faster effective programming and erase than prior generation SPI programs or erase algorithms. The device connects to a host system via an SPI and supports traditional SPI single-bit serial input and output. Optional two-bit (Dual I/O or DIO) and four-bit (Quad I/O or QIO) serial commands. The S25FL512S FL-S NOR provides support for Double Data Rate read commands for SIO, DIO, and QIO that transfer addresses. 

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조직
데이터 버스 너비
타이밍 타입
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자격
포장
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI
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최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI
데이터시트
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최소: 3,380
배수: 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI
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최소: 1,690
배수: 1,690

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI
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최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY
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최소: 3,380
배수: 3,380

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY
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: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY
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최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI
데이터시트
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최소: 1
배수: 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY
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비재고 리드 타임 19 주
최소: 676
배수: 676

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY
데이터시트
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최소: 2,400
배수: 2,400

SMD/SMT S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,400
배수: 2,400

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512M FLASH MEMORY
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비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 480
배수: 480

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 512-MBIT CMOS 3.0 V 65NM FLASH MEMORY
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 3,380
배수: 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 676
배수: 676

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray