전력 MOSFET

Infineon은 HEXFET 전력 MOSFET 기술의 선구자로서, 1979년에 최초의 육각 토폴로지 MOSFET을 개발해 출시했습니다. 이러한 개발은 단 4년 후에 폭넓게 특허를 받았으며, 그 이후로 대부분의 MOSFET 제조업체가 이 시장에 진입하기 위한 설계와 공정에 대한 라이선스를 취득했습니다. IR 제품은 동종 제품에서 비슷한 구성요소에 대해 시판되는 제품 중 가장 낮은 MOSFET 온 저항을 자랑하며, 비교 대상이 없는 최고의 효율을 발휘하는 전력 변환 서브시스템 설계를 지원합니다. IR은 최첨단 실리콘 기술과 혁신적인 패키징 기술을 결합한 제품입니다. IR POWIRTAB™, Super-220™ 및 Super-247™ 패키지는 같은 설치 공간에서 표준 패키지보다 장치당 최대 20A 더 많은 전류를 허용하여 전력 밀도를 높여줍니다. 표준 표면 실장 납땜 기법과 호환되는 IR의 FlipFET® 패키징 기술을 통해 설치 공간이 3배나 큰 기존 패키지와 같은 성능을 가진 100% 실리콘 제품을 제공하므로, 휴대폰이나 노트북 PC와 같은 휴대용 기기에 이상적인 솔루션입니다. IR의 DirectFET® 패키징은 패키지 상단을 통해 보드에서 열을 빼내어 표준 SO-8의 설치 공간에서 획기적인 열 관리 성능을 발휘합니다. 그 결과, DirectFET MOSFET은 전류 밀도를 배가하는 동시에 차세대 마이크로프로세서에 전력을 공급하는 고전류 회로에서 열 관리 비용을 절반으로 줄일 수 있습니다.