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SISS94DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS94DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SISS94DN-T1-GE3
Price: 2087 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SISS94DN-T1-GE3

제조업체 번호:

SISS94DN-T1-GE3

제조업체:

Vishay Semiconductors

설명:

MOSFET N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

데이터시트:

SISS94DN-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 26,727

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공장 리드 타임:: 31 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,087.8	₩2,088
	₩1,316.9	₩13,169
	₩873.1	₩87,310
	₩683.3	₩341,650
	₩622	₩622,000
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩550.4	₩1,651,200
	₩499.3	₩2,995,800
	₩481.8	₩11,563,200

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK-1212-8SH-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	200 V
Id - 연속 드레인 전류:	19.5 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	75 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	11 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	65.8 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay Semiconductors
구성:	Single
하강 시간:	7 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	12 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	5 ns
시리즈:	SISS
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	20 ns
표준 턴-온 지연 시간:	12 ns
단위 중량:	488.500 mg

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문서 필터:

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SISS94DN ThunderFET® MOSFET

Vishay SISS94DN ThunderFET^® MOSFET은 ThunderFET 기술이 적용된 TrenchFET^®를 사용하는 N-채널 200VDS 장치입니다. 이 ThunderFET^® MOSFET은 R_DS(on), Q_g, Q_sw 및 Q_oss의 균형을 최적화합니다. 이 장치는 100% R_g 및 UIS(Unclamped Inductive Switching) 테스트를 거쳤습니다. 이 SISS94DN MOSFET은 PowerPAK 1212-8S 패키지로 제공되고 무연 및 무할로겐(SiSS94DN-T1-GE3)입니다. 이 MOSFET은 -55~150°C의 온도 범위에서 작동하고 단일 구성으로 제공됩니다. 일반적으로 1차 측 스위칭, 동기식 정류, DC/DC 토폴로지, 조명, 로드 스위치 및 모터 드라이브 제어에 사용됩니다.

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.