콤보-FET

onsemi 콤보-FET는 낮은 RDS(on) onsemi SiC JFET와 Si MOSFET을 하나의 소형 패키지로 결합한 혁신적인 장치입니다. 무접점 회로 차단기, 배터리 차단 및 서지 보호와 같은 저주파 보호 애플리케이션용으로 명시적으로 설계된 콤보-FET을 사용하여 사용자는 JFET 게이트에 액세스하여 설계를 최적화할 수 있습니다. 이러한 onsemi 콤보-FET에 Si MOSFET을 통합하면 노멀 오프 솔루션을 보장하여 개별 구현에 비해25%이상의 크기 감소를 달성할 수 있습니다.

결과: 5
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
구성
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Vgs - 게이트 소스 항복 전압
드레인 소스 전류(Vgs=0)
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
데이터시트
165재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO
데이터시트
615재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi JFET UG4SC075005L8S
데이터시트
1,121재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
데이터시트
555재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO
데이터시트
558재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube