PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature range. These MOSFETs are 100% UIS tested and are available in the DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. The PJQx43 P-Channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 and are green molding compounds as per IEC 61249 standard.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET 2,812재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 18.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 62 A 8.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 150 C 54.3 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 41 A 12.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 150 C 33.8 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 38 A 15.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 68 A 8.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 43 A 12.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 38 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel