오토모티브40 A&80 A파워 MOSFET

로옴 세미컨덕터 오토모티브40 A및80 A파워 MOSFET은 N채널 및 P채널 디바이스입니다. 이 AEC-Q101 인증 MOSFET은 낮은 온저항, ±80 A / ±160 A 펄스 드레인 전류, 최대 142 W 전력 손실을 특징으로 합니다. 40 A 및 80 A 파워 MOSFET은 -55 °C ~ +175 °C의 넓은 동작 온도 범위를 지원하며, 100 % 애벌런치 테스트를 완료했습니다. 이 파워 MOSFET은 ADAS, 자동차 전장, 조명 애플리케이션에 최적화되어 있습니다.

결과: 5
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
포장
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 P-CH 30V 80A
데이터시트
2,241재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 40V 80A
데이터시트
2,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.1 mOhms 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN3333 P-CH 40V 40A
데이터시트
2,400재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 11.9 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 60V 80A
데이터시트
1,677재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 60V 80A
데이터시트
1,742재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape