Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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패키지/케이스
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
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비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 50
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
IXYS MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 60 Amps 200V
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5
IXYS MOSFET TO247 150V 102A N-CH TRENCH
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 160Amps 150V
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench Gate Power MOSFET
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET TO247 250V 86A N-CH TRENCH
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-5
IXYS MOSFET MOSFET Id130 BVdass100
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds
데이터시트
재고 없음
최소: 50
배수: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 42 Amps 150V 0.045 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 31 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3