Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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패키지/케이스
IXYS MOSFET TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
데이터시트
1,140구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
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배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFET TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
데이터시트
1,170구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFET 102 Amps 150V
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최소: 300
배수: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 130 Amps 100V
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비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS MOSFET 102 Amps 0V
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 110 Amps 0V
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 160 Amps 150V
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비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 120A 300V
데이터시트
비재고 리드 타임 25 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A
데이터시트
비재고 리드 타임 25 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 160A 300V
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 170 Amps 200V 0.014 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 300
배수: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 102 Amps 0V
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 130 Amps 100V
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS MOSFET GigaMOS Power MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 25 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 25 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A
데이터시트
비재고 리드 타임 25 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS MOSFET 120V 300V
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 140A 250V
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 170A 200V
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
IXYS MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)