Serial RAM Devices

ISSI Serial RAM Devices contain 8Mb/16Mb/32Mb pseudo-static Random Access Memory (RAM) using a self-refresh DRAM array. These arrays are organized as 1M words by 8 bits, 2M words by 8 bits, and 4M words by 8 bits for 8Mb, 16Mb, and 32Mb, respectively. The serial RAM devices support Serial Peripheral Interface (SPI) and Quad Peripheral Interface (QPI) protocols and low signal count. These devices also support hidden refresh operation, industrial temperature, and automotive A2 grade temperature. In-band reset is supported instead of a dedicated RESET# pin and the minimum transferred data size is 8bit.

결과: 6
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수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
액세스 시간
최대 클록 주파수
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
ISSI IS66WVS2M8BLL-104NLI
ISSI SRAM 16Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
1,316재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 2 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8


ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
12,314재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS66WVS2M8ALL-104NLI
ISSI SRAM 16Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
746재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 2 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS66WVS1M8ALL-104NLI
ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
93재고 상태
100예상 2026-06-10
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS66WVS4M8ALL-104NLI
ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
363재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8


ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
4,800예상 2026-07-15
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8