AFGY100/AFGY120T65SPD 필드 스톱 트렌치 IGBT

onsemi AFGY100T65SPD 및 AFGY120T65SPD 필드 스톱 트렌치 IGBT는 AEC-Q101 인증을 받았으며 매우 낮은 전도 및 스위칭 손실이 특징입니다. 이러한 특징 덕분에 다양한 애플리케이션에서 고효율 작동, 견고한 과도 신뢰성 및 낮은 EMI가 가능합니다.

결과: 3
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
onsemi IGBT FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE
데이터시트
1,771재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3LD Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 660 W - 55 C + 175 C AFGY100T65SPD Tube
onsemi AFGY120T65SPD
onsemi IGBT FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE
데이터시트
1,027재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 714 W - 55 C + 175 C AFGY120T65SPD Tube
onsemi IGBT FS3 IGBT 650V/120A AND STEALTH DIODE
데이터시트
417재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V 20 V 240 A 882 W - 55 C + 175 C FGY120T65SPD Tube